晶圆切割清洗系统/ Wafer Cleaning System

 

特点
框架尺寸: 2-6 2-6-1 2-8-1
	工作物尺寸 6”-8”
支持多尺寸晶圆:3\4\5\6\8英寸
设定参数均可调整
参数设定修改均可通过触摸屏实现
客户模式均可自由更改
工作盘转速范围：0-3000转/分钟
清洗机排除压力（Mpa)：2.0-12.0
性能
工作盘马达:交流感应马达
清洗方式 :高压水清洗
显示 :5英寸触摸屏，操作/编辑数据，显示错误信息等
操作键  :开始/停止，经济停止
电源 ：交流220-230伏特 50/60赫兹
压缩空气  ：0.45-0.65   兆帕