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 半导体制造/WAFER FAB >> 磁控溅射系统

   

      磁控溅射

 

 TFE的新型批量在线溅射系统型号BH3F和BH4F是灵活的工艺工具,其在线体系结构设计用于各种不同的基材。

   

主要特点:

  • 通过提供许多不同的选项,过程具有灵活性
  • 处理不同基板形状的能力
  • 顺序或共溅射沉积
  • 具有配方管理功能的灵活软件使不同的配方可以同时运行并进行完整的数据记录;该软件将数据保存并导出到远程系统以进行生产质量控制
  • 维护简单,系统访问方便
  • 该过程可以通过上游或下游压力控制来完成
  • 占地面积小


 

工艺灵活性

TFE的新型间歇式在线溅射系统在所有溅射位置均提供直流磁控管,RF磁控管和RF二极管功能,而无需更换阴极。还包括RF蚀刻功能。系统操作在PLC控制下(三菱型号)。多种选择增加了系统的灵活性,包括脉冲电源,直流偏置,共溅射功能,穿墙能力,高均匀度加热站和双阴极。


 

负载锁

特殊的两层装载锁可以在第一层接受未涂覆的托盘,并在第二层可以进入已处理的托盘。排气,装载和抽气都在对处理室中的晶片进行涂层时发生,从而确保了有效的操作和高产量。可选多级加载锁


 

托盘

TFE新型批次在线溅射系统的标准托盘为不锈钢,根据基板尺寸的不同,可以提供多种配置。容量范围从36个2英寸晶圆到四个150mm晶圆(例如)-可根据要求提供定制托盘。


 

百叶窗

特殊设计的不锈钢百叶窗可防止相邻的靶材在溅射过程中受到污染,并防止可选加热器被涂覆。


 

真空系统

通过每秒1500升的闭环氦低温泵实现高真空抽空。主腔室和负载锁定装置的粗加工是由两级27 cfm机械泵执行的,可以选择干燥。在过程中,计算机通过压力或流量控制气体。可选五种不同的气体,目标周围有/无气环,以实现反应过程和高均匀性


 

阴极

TFE的新型批量在线溅射系统在所有三个阴极位置均具有溅射处理能力。可供选择的阴极种类繁多,几乎可以适合任何应用。它们包括:•CHI,UPSILON,MU(4件)的特殊阴极上的高产量要求靶材•标准和Magterial的平面磁控管阴极(用于沉积磁性材料)•RF模式下使用的平面二极管阴极


 

射频蚀刻平台

RF溅射蚀刻在气动,水冷蚀刻平台上执行,该平台垂直移动以自动从中取出托盘,然后在蚀刻后将托盘恢复到托盘托架上


 

辐射加热器(可选)

可以通过安装可选的加热站来完成基板加热,该加热站安装在蚀刻站的腔室前板上


 

射频发生器

可根据客户要求提供不同的射频电源


 

射频自动调谐

独立的RF自动调谐网络提供反馈控制,以在所有RF操作模式下维持最小的反射功率


 

直流磁控电源

可根据客户要求提供不同的直流电源


 

直流偏置

可选电源可对基板进行直流偏置


 

厂务要求

以下是典型的实用程序要求。它们可能会随某些选项的增加而变化电源:380V,三相50Hz水:4 GPM,最大90 PSIG,18-24°C电阻率:最小4 kohm-cm空气:100 PSIG过滤,3 CFM间歇溅射气体:通常为5 PSIG氩气,50至150 sccm

  

 


 

点击数:323  录入时间:2020/6/10 【打印此页】 【返回
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