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 半导体制造/WAFER FAB >> 半导体衬底及膜层质量分析仪器

  

 

 

 

 

 

 

 

 

半导体衬底及膜层质量分析仪器

 产品描述

FAaST 350系统是对半导体衬底材料以及介 质层质量的综合测试分析平台。其中 1)采用表面光电压法(SPV)进行扩散长度(DL)测试,以反映半导体材料的沾污及对工艺进行监控; 2)用无接触的CV(电容-电压法)和无接触的IV测试技术(电流-电压法)对半导体介质材料的各种电学特性进行表征。
半导体材料的污染控制是影响半导体器件性能的一项关键指标,目前该测试设备所采用的非接触表面光电压的方法侦测体内铁的含量能达到E8个原子/立方厘米,是目前业界最低的侦测下限,而且是非破坏性测试,能作为半导体一个在线实时的检测手段。无接触的CV测试方法能适用于非常多种的介质膜层分析,包括一些新型的高k,低K材料。它通过一个高压放电装置解离空气中的水蒸气和二氧化碳,从而能达到在介质膜上富集所需要的正负电荷的目的,通过开尔文探头感应膜层的电压,从而可以快速自动的得出介质膜的电容,平带电压,界面态密度,定量出膜内的电荷量。

 产品特点

非接触非破坏性
快速表征体内重金属污染浓度
样品制备简单,一般可直接测试在线产品片
软件操作简单,菜单设置清晰 
可以其他一个同类测试设备进行匹配
测试结果易于分析



来料质量监控
半导体各工艺段污染监控
半导体各工艺段污染监控
等效氧化膜厚度测试及介电常数
各生产设备的污染监控



少数载流子扩散长度: 1 µm -2500µm
铁浓度: 1E8 -5E14 atoms /cm-3
平带电压: -60 - +60 V 
界面陷阱电荷: 1E10-1E13 q/cm2
电学厚度: 9-500 Å


 

 

点击数:637  录入时间:2015/7/27 【打印此页】 【返回
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